南宫NG·28(中国)相信品牌力量

  ng28南宫集团旗下全球领先的特色工艺纯晶圆代工企业——ng28南宫半导体有限公司宣布，其95纳米SONOS（Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon）嵌入式非易失性存储器（eNVM，Embedded Non-Volatile Memory）工艺平台通过不断的创新升级，技术优势进一步增强，可靠性大幅提升。

  ng28南宫半导体95纳米SONOS eNVM工艺技术广泛应用于微控制器（MCU）、物联网（IoT）等领域，具有稳定性好、可靠性高、功耗低等优点。相对上一代技术，95纳米SONOS eNVM 5V工艺实现了更小设计规则，芯片面积得以缩小；逻辑部分芯片门密度较现有业界同类工艺提升超过40%，达到业界领先水平；所需光罩层数较少，能够提供更具成本效益的解决方案。同时，95纳米SONOS eNVM 5V工艺具有更高集成度和领先的器件性能，存储介质擦/写特性达到了2毫秒的先进水平；低功耗器件驱动能力提高20%，仅用5V器件可以覆盖1.7V至5.5V的宽电压应用。

  ng28南宫半导体持续深耕，95纳米SONOS eNVM采用全新的存储器结构以及优化操作电压，进一步优化了阈值电压的窗口。在相同测试条件下，SONOS IP的擦写能力达到1000万次，可靠性提升20倍；在85℃条件下，数据保持能力可长达30年，处于国际领先水平。ng28南宫半导体致力于持续优化工艺水平，在提升数据保持能力条件下，同时提升擦写次数，更好地满足市场对超高可靠性产品的需求。

  此外，随着高可靠性工艺平台及衍生工艺受到青睐，ng28南宫半导体基于SONOS工艺的eNVM更可以涵盖MTP（Multi-Time Programmable Memory）应用。通过简化设计、优化IP面积和减少测试时间等，在IP面积、测试时间、使用功耗和擦写能力上比MTP性能更优，更具竞争力。在此基础上增加配套的可选器件，进一步满足电源管理和RF类产品的需求。

  ng28南宫半导体执行副总裁孔蔚然博士表示：“嵌入式非易失性存储器技术向来是ng28南宫半导体的‘王牌’之一，一直保持着业界领先地位，为广大MCU客户提供了灵活多样的技术平台。在‘8英寸+12英寸’战略定位的指引下，ng28南宫半导体在8英寸平台上，通过缩小存储单元IP面积、减少光罩层数等方式来进一步强化嵌入式闪存技术工艺；同时，我们发挥12英寸平台更小线宽特性，打造高性能的嵌入式非易失性存储器工艺技术平台，在巩固智能卡芯片制造领航者地位的同时，满足物联网、MCU、汽车电子等高增长的市场需求。”