南宫NG·28(中国)相信品牌力量

新闻掠影
ng28南宫宏力再获上海市科技进步一等奖!
发布时间: 2021-12-01 18:00  作者: 本站编辑

       2020年度上海市科学技术奖励大会于2021年12月1日举行,ng28南宫集团旗下上海ng28南宫宏力半导体制造有限公司(简称“ng28南宫宏力”)“绝缘栅双极型晶体管工艺技术开发”项目荣获上海市科技进步一等奖。

       ng28南宫宏力是全球首家同时在8英寸与12英寸生产线量产功率MOSFET、深沟槽超级结、场截止型IGBT的纯晶圆代工企业,拥有丰富的功率器件稳定量产经验。面向包括汽车电子在内的绿色环保IGBT应用市场,ng28南宫宏力依托领先成熟的沟槽MOS工艺,成功开发特有的场截止型IGBT工艺,建成国内拥有全套正、背面工艺的技术平台。该获奖技术主要应用于白色家电、工业变频、焊机、汽车电子等产品。

联系我们

地址:中国上海市浦东张江高科技园区碧波路177号ng28南宫科技园A区四楼

电话:+86 21 6100 7909

传真:+86 21 6100 6700

邮编:201203

邮件:huahong@xayuchao.com

网站:www.xayuchao.com

友情链接: